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IPB015N08N5ATMA1只有原装现货
IPB015N08N5ATMA1只有原装现货
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IPB015N08N5ATMA1只有原装现货

封装 / 箱体::

TO-263-7

Vds-漏源极击穿电压::

80 V

Id-连续漏极电流::

180 A

Pd-功率耗散::

375 W

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  • 参数

IPB015N08N5ATMA1只有原装现货

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产品属性

属性值

选择属性

制造商:

Infineon

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

TO-263-7

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

80 V

 

Id-连续漏极电流:

180 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

1.8 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

2.2 V

 

Qg-栅极电荷:

178 nC

 

Pd-功率耗散:

375 W

 

通道模式:

Enhancement

 

商标名:

OptiMOS

 

系列:

OptiMOS 5

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Infineon Technologies

 

配置:

Single

 

下降时间:

28 ns

 

高度:

4.4 mm

 

长度:

10 mm

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

32 ns

 

工厂包装数量:

1000

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

典型关闭延迟时间:

83 ns

 

典型接通延迟时间:

33 ns

 

宽度:

9.25 mm

 

零件号别名:

IPB015N08N5 SP001226034

 

单位重量:

1.600 g

 

公司成立2008年,拥有15年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体::

TO-263-7

Vds-漏源极击穿电压::

80 V

Id-连续漏极电流::

180 A

Pd-功率耗散::

375 W